Chip bán dẫn thường thấy trong điện thoại thông minh và máy tính rất khó chế tạo và phức tạp, đòi hỏi máy móc tiên tiến và môi trường đặc biệt để sản xuất. Quá trình sản xuất cũng thường được thực hiện trên các tấm wafer silicon và sau đó được cắt ra thành các miếng nhỏ để sử dụng. Tuy nhiên, quá trình này không hoàn hảo và không phải tất cả các chip từ cùng một tấm wafer đều hoạt động hoặc hoạt động như mong muốn. Những con chip bị lỗi này bị loại bỏ, làm giảm năng suất bán dẫn trong khi tăng chi phí sản xuất.

Các tấm wafer được sản xuất bằng cách sử dụng các nano lên khuôn polymer để in in kim loại lên bề mặt thông qua áp suất, hay còn gọi là 'dập', tuy vậy điều này lại sử dụng một lớp chất kết dính hóa học, gây ra các tác động tiêu cực, chẳng hạn như khiếm khuyết bề mặt và suy giảm hiệu suất khi in ở quy mô lớn, cũng như các nguy cơ đối với sức khỏe con người.

Kỹ thuật in không sử dụng hóa chất mới của nhóm nghiên cứu từ NTU và KIMM đã giúp giải quyết vấn đề này bằng cách chuyển các lớp cấu trúc nano Vàng (Au) lên đế Silicon (Si) ở nhiệt độ thấp (160°C) để tạo thành một tấm wafer đồng nhất cao với các dây nano có thể được điều khiển theo độ dày mong muốn trong quá trình chế tạo.

Kỹ thuật tương thích công nghiệp này cho phép một tấm wafer được chế tạo nhanh chóng và đồng đều ở quy mô (từ nanomet đến inch). Đồng thời, tấm wafer được chế tạo gần như không có khuyết tật, nghĩa là hầu như không có con chip nào bị loại bỏ do hiệu suất kém.

Trong các thử nghiệm trong phòng thí nghiệm, nhóm nghiên cứu chung đã có thể đạt được hiệu suất chuyển đổi hơn 99% của màng Au dày 20 nanomet lên một tấm wafer Si 6 inch. Nhóm nghiên cứu đang đặt mục tiêu hợp tác với một đối tác công nghiệp để thương mại hóa kỹ thuật này trong vòng vài năm tới.

Theo Tổ chức Kỷ lục Đông Nam Á (Aseanrecords.world) – Vietkings

(Nguồn: https://www.sciencedaily.com/releases/2022/03/220316132653.htm)